同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的 600v耐压超级结 mosfet “r60xxvnx系列”-尊龙凯时ag旗舰

 

全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)的600v耐压超级结 mosfet“prestomos™”产品阵容中又新增了“r60xxvnx系列”的7款机型,新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。

近年来,随着全球电力消耗量的增加,如何有效利用电力已成为亟待解决的课题,在这种背景下,电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升,因此也就要求其中所用的功率半导体进一步降低功率损耗。针对这种需求,rohm对以往的prestomos™产品进行了改进,开发出具有比同等普通产品更低的导通电阻、有助于进一步降低应用产品功耗的新产品。

此次开发的新系列产品采用rohm的新工艺实现了业界超快的反向恢复时间(trr*1),同时,与反向恢复时间存在此消彼长关系的导通电阻*2最多也可以比同等的普通产品低20%。在反向恢复时间方面,继承了prestomos™系列产品已经实现的105ns(纳秒)业界超快(与to-220fm同等封装产品相比)反向恢复时间,而且开关时的功率损耗比同等普通产品低约17%。基于这两大特点,与同等的通用产品相比,新系列可大大提高应用产品的效率。

除了上述系列之外,作为标准型600v耐压超级结 mosfet,rohm还开发了具有更低导通电阻的“r60xxynx系列”,此次又新增了两款机型。客户可以根据应用需求选择合适的产品群。

新产品已于2022年1月开始暂以月产10万个(样品价格900日元/个,不含税)的规模投入量产。另外,也已开始通过电商销售,从、等电商平台均可购买。今后,rohm将继续开发抗噪性能更出色的新系列产品,不断扩大超级结 mosfet系列产品的阵容,通过降低各种应用产品的功耗助力解决环境保护等社会问题。

网络销售平台 1枚起售

    <新产品特点>

    1.实现业界超快的反向恢复时间,同时实现业界超低的导通电阻

    prestomos™“r60xxvnx系列”通过采用rohm新工艺降低了单位面积的导通电阻。由于与反向恢复时间之间存在权衡关系而很难同时兼顾的导通电阻,与同等普通产品相比,最多可减少20%(与to-220fm同等封装产品相比),有助于进一步降低各种应用产品的功耗。

    2.具有业界超快的反向恢复时间,开关损耗更低

    通常,当工艺向更微细的方向发展时,导通电阻等基本性能会得到改善,但与之存在此消彼长关系的反向恢复时间会变差。而rohm的prestomos™“r60xxvnx系列”采用自有的速度提升技术,实现了比同等普通产品更低的导通电阻的同时,还实现了业界超快的105ns(纳秒)反向恢复时间(与to-220fm同等封装产品比较)。由于抑制了额外的电流量,因此与同等的普通产品相比,开关过程中的功率损耗可以降低约17%。相比之下,包括“r60xxynx系列”在内的标准型且相同导通电阻产品的反向恢复时间约300~400ns(纳秒)。

    由于上述两大特点,在搭载了追求高效率的同步整流升压电路*3的评估板上,与导通电阻60mω级的产品进行比较时,“r60xxvnx系列”表现出比同等普通产品更出色的效率,非常有助于降低光伏逆变器和不间断电源(ups)等应用的功耗。

    <产品阵容>

    r60xxvnx系列(prestomos™型)

    耐压
    vds
    [v]
    导通电阻
    ron
    typ.
    [mω]
    vgs=15v
    反向
    恢复
    时间
    trr
    typ.
    [ns]
    封装
    to-252
    <dpak>
    (to-220fm)
    <to-220fp>
    to-220abto-247ad
    (to-247)
    60025065☆ r6013vnd3☆ r6013vnx  
    18068 
      
    13080 

     
    9592 

     
    59112 ☆ r6055vnx☆ r6055vnx3
    42125   
    22167   ☆ r60a4vnz4

    ☆: 开发中

    封装采用jedec标准。( )内表示rohm封装,〈 〉内表示general代码。

    r60xxynx系列(标准型)

    耐压
    vds
    [v]
    导通电阻
    ron
    typ.
    [mω]
    vgs=12v
    反向
    恢复
    时间
    trr
    typ.
    [ns]
    封装
    to-252
    <dpak>
    (to-220fm)
    <to-220fp>
    to-220abto-3pfto-247ad
    (to-247)
    mo-299
    (toll)
    600324200~600☆ r6010ynd3☆ r6010ynx☆ r6010ynx3   
    215☆ r6014ynd3
    ☆ r6014ynx3   
    154 
    ☆ r6020ynx3 ☆ r6020ynz4☆ r6020ynj2
    137 ☆ r6022ynx☆ r6022ynx3 ☆ r6022ynz4☆ r6022ynj2
    112 ☆ r6027ynx☆ r6027ynx3 ☆ r6027ynz4☆ r6027ynj2
    80 ☆ r6038ynx☆ r6038ynx3 ☆ r6038ynz4☆ r6038ynj2
    68 ☆ r6049ynx☆ r6049ynx3 ☆ r6049ynz4☆ r6049ynj2
    50 ☆ r6061ynx☆ r6061ynx3 ☆ r6061ynz4 
    49     ☆ r6063ynj2
    36   ☆ r6086ynz☆ r6086ynz4 
    21    ☆ r60a4ynz4 

    ☆: 开发中

    封装采用jedec标准。( )内表示rohm封装,〈 〉内表示general代码。

    <应用示例>

    ■电动汽车充电桩、服务器、基站、光伏逆变器(功率调节器)、不间断电源(ups)等
    ■空调等白色家电
    ■其他各种设备的电机驱动和电源电路等

    <什么是prestomos™?>

    presto意为“非常快”,是源于意大利语的音乐术语。
    prestomos™是采用了rohm自有的lifetime控制技术、并以业界超快的反向恢复时间(trr)著称的功率mosfet。

    ・prestomos是rohm co., ltd.的商标。

    <用語説明>

    *1) trr:反向恢复时间(reverse recovery time)
    内置的二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低,开关时的损耗越小。

    *2) 导通电阻
    mosfet导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小,导通时的损耗(功率损耗)越少。

    *3) 同步整流升压电路
    通常,在由mosfet和二极管组成的升压电路中,用来将二极管改为mosfet以提升效率的电路。由于mosfet导通电阻带来的损耗要小于二极管vf带来的功率损耗,因此这种电路的效率更高。

    <宣传单>

    <相关信息>

    特设网页: 实现高速开关和低导通电阻 super junction mosfe

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