rv4e031rphzg-尊龙凯时ag旗舰
pch-30v-3.1a汽车用小信号mosfet主要规格
特性：
package code
dfn1616-6w
number of terminal
8
polarity
pch
drain-source voltage vdss[v]
-30
drain current id[a]
-3.1
rds(on)[ω] vgs=4v(typ.)
0.122
rds(on)[ω] vgs=4.5v(typ.)
0.108
rds(on)[ω] vgs=10v(typ.)
0.075
rds(on)[ω] vgs=drive (typ.)
0.122
total gate charge qg[nc]
4.8
power dissipation (pd)[w]
1.5
drive voltage[v]
-4
mounting style
surface mount
storage temperature (min.)[°c]
-55
storage temperature (max.)[°c]
150
package size [mm]
1.6x1.6 (t=0.8)
common standard
aec-q101 (automotive grade)
特点：
- low on - resistance.
- small high power package
- low voltage drive(4v)
- 100% uis tested.
- wettable flank for automated optical solder inspection(aoi). electrode part 130μm guarantee.
产品概要
产品概要
近年来，adas不可或缺的车载摄像头，受安装空间的限制，对所配置部件的小型化要求越来越高。为满足这些市场需求，在保持大电流的前提下，有望进一步实现小型化的底部电极封装mosfet备受瞩目。
另一方面，对于汽车电子产品，为确保可靠性，会在产品安装后进行外观检测*1)，但由于底部电极封装在侧面没有充分形成稳定的焊接面，因此无法确保汽车电子需要的焊料高度，并且很难确认安装后的焊接状态，这是长期以来存在的课题。
rohm一直致力于包括超小型mosfet在内的产品的开发，并创造了傲人业绩。此次，通过引入rohm工艺方法的 wettable flank成型技术*2)，底面电极封装也能形成焊接面。保证封装侧面电极部分130μm的高度，因此可在产品安装后的外观检测中可以充分确认焊接状态。
未来，rohm会充分运用wettable flank成型技术优势，继续开发小型封装技术，并将技术优势从mosfet扩展到双极晶体管和二极管产品，持续扩充追求小型高可靠性的产品阵容。
产品阵容
| 产品名称 | 极性 [ch] |
漏极 源极间 耐压 vdss[v] |
漏极 电流 id[a] |
驱动电压 [v] |
漏极 - 源极间导通电阻 | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| rds(on)[mω] @vgs=10v |
rds(on)[mω] @vgs=4.5v |
rds(on)[mω] @vgs=4.0v |
rds(on)[mω] @vgs=2.5v |
rds(on)[mω] @vgs=1.8v |
rds(on)[mω] @vgs=1.5v |
|||||||||||
| typ. | max. | typ. | max. | typ. | max. | typ. | max. | typ. | max. | typ. | max. | |||||
rv4e031rp hzg |
p | 30 | 3.1 | 4.0 | 75 | 105 | 108 | 152 | 122 | 172 | ─ | ─ | ─ | ─ | ─ | ─ |
rv4c020zp hzg |
p | 20 | 2.0 | 2.5 | ─ | ─ | 180 | 260 | ─ | ─ | 240 | 340 | 320 | 450 | 400 | 560 |
特点
1．利用融入rohm独有工艺方法的wettable flank成型技术，保证封装侧面电极部分130μm的高度
wettable flank成型技术是在封装侧面的引线框架部加入切割再进行电镀的技术。但是，引线框架切割高度越高越容易产生毛刺。
为此，rohm开发出独有的工艺方法，在引线框架整个表面上设置了用来减少毛刺的阻挡层。这可以防止产品安装时的倾斜和焊接不良，而且作为dfn1616封装产品（1.6mm×1.6mm），保证封装侧面电极部分130μm的高度。
2．替换为小型底部电极 mosfet，削减安装面积
以往adas摄像头模块的反接保护电路主要采用肖特基势垒二极管（sbd）。但是，随着摄像头的分辨率日益提高，在超大电流化方向发展的车载市场，由于小型底部电极mosfet具有导通电阻低且可减少发热量的特点，替换掉sbd已经是大势所趋。
例如电流2.0a、功耗0.6w时，在车载市场被广为使用的带引脚封装mosfet，与sbd相比，可削减30%的安装面积。而底部电极封装的mosfet，由于是底部电极，散热性更好，不仅可实现小型化，还可实现大电流化。因此，与传统的sbd相比，其安装面积可削减78%，与普通的mosfet相比，其安装面积可削减68%。
术语解说
*1)外观检测
也称自动光学检查或aoi（automated optical inspection）。例如，用摄像头扫描电路板，以检查部件缺陷和品质缺陷、焊接状态等。
*2)wettable flank技术
在qfn和dfn等底部电极封装的侧面引线框架部加入切割再进行电镀加工，在侧面也形成电极的技术。
