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    • 导通时栅极驱动电压低于15ｖ，则不能充分导通，低于14ｖ以下，则导通电阻的温度特性从正变为负。
      温度变高，则导通电阻下降，有热失控的危险性，因此请确保施加15ｖ以上电压。
      tzdb为40v以上，因此没有栅极损坏的顾虑，但持续施加超过额定值(-6v/ 22v)的dc电压时，将受到栅极氧化膜界面的陷阱影响，阈值逐渐变化。
      瞬时浪涌电压(300nsec以内)受阈值电压变动的影响小，允许有-10v～ 26v范围的变动。
      • products: silicon-carbide (sic) power devices , sic mosfets , sic power module , sic mosfet bare die