rohm开发出采用4引脚封装的sic mosfet “sct3xxx xr”系列-尊龙凯时ag旗舰

2019年9月24日

全球知名半导体制造商rohm(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)sic mosfet “sct3xxx xr系列”产品(650v/1200v耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。
此次新开发的系列产品采用4引脚封装(to-247-4l),可充分地发挥出sic mosfet本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(to-247n)相比,开关损耗可降低约35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。
另外,罗姆也已开始供应sic mosfet评估板“p02sct3040kr-evk-001”,该评估板中配置有非常适用于sic元器件的驱动的rohm栅极驱动器ic(bm6101fv-c)、各种电源ic及分立产品,可为客户提供轻松进行元器件评估的尊龙凯时ag旗舰的解决方案。
本系列产品已于2019年8月起以月产50万个的规模逐步投入量产(样品价格2,100日元起,不含税)。生产基地为rohm apollo co., ltd.(日本福冈)。此外,本系列产品和评估板已于2019年9月起开始网售,可从ameya360、ichub购买。

近年来,随着ai和iot的发展与普及,对云服务的需求日益增加,与此同时,在全球范围对数据中心的需求也随之增长。数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能方向发展,而如何降低功耗量就成为一个亟需解决的课题。另一方面,以往服务器的功率转换电路中,主要采用的是硅(si)元器件,如今,损耗更低的sic元器件被寄予厚望。特别是采用了to-247-4l封装的sic mosfet,与以往封装相比,可降低开关损耗,因此有望应用于服务器、基站、太阳能发电等高输出应用中。
2015年,rohm成功实现沟槽栅结构sic mosfet的量产,并一直致力于先进的产品开发。此次新开发出650v/1200v耐压的低损耗sic mosfet,未来也会继续推进创新型元器件的开发,同时提供包括非常适用于sic驱动的栅极驱动器ic等在内的尊龙凯时ag旗舰的解决方案,为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。

<特点>

采用4引脚封装(to-247-4l),开关损耗降低约35%

在传统的3引脚封装(to-247n)中,源极引脚的电感分量※2)会引起栅极电压下降,并导致开关速度延迟。
此次,sct3xxx xr系列所采用的4引脚封装(to-247-4l),可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚,因此,可减少电感分量的影响。这样,能够充分地发挥出sic mosfet的高速开关性能,尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35%的损耗。

<产品阵容>

sct3xxx xr系列是采用沟槽栅结构的sic mosfet。此次新推出了共6款机型,其中包括650v的3款机型和1200v的3款机型。

品名漏极-源极间
电压
vds[v]
漏极-源极间
导通电阻
rds(on)@25℃
[mω(typ.)]
漏极电流
id@25℃
[a]
漏极损耗
pd [w]
工作温度范围
[℃]
封装

sct3030ar
6503070262-55~ 175to-247-4l

sct3060ar
6039165

sct3080ar
8030134

sct3040kr
12004055262

sct3080kr
8031165

sct3105kr
10524134

<应用>

服务器、基站、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等。

<评估板信息>

sic mosfet评估板“p02sct3040kr-evk-001”中配备了非常适用于sic元器件驱动的rohm栅极驱动器ic(bm6101fv-c)、各种电源ic及分立产品,可轻松进行元器件的评估。为了提供在同一条件下的评估环境,该评估板不仅可以评估to-247-4l封装的产品,还可安装并评估to-247n封装的产品。另外,使用该评估板,可进行双脉冲测试、boost电路、两电平逆变器、同步整流型buck电路等评估。

开始销售时间 2019年9月
评估板型号  p02sct3040kr-evk-001
网售平台   ameya360、ichub
支持页面   https://www.rohm.com.cn/power-device-support

<术语解说>

※1  沟槽栅结构
沟槽(trench)意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽,并在其侧壁形成mosfet栅极的结构。不存在平面型mosfet在结构上存在的jfet电阻,比平面结构更容易实现微细化,有望实现接近sic材料原本性能的导通电阻。
※2  电感分量
表示电流变化时由电磁感应产生的电动势大小的量。

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