负载开关-尊龙凯时ag旗舰

关于负载开关on时的浪涌电流

负载开关q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量c_l的电荷接近零时，向输出v_o施加电压的瞬间会流过大充电电流。
这种流过大电流的现象称作浪涌电流（flash current）。
浪涌电流的峰值大体可以通过输入电压v_i、mosfet q1的r_ds(on)和负载侧负载容量c_l的esr确定，输入电压v_in变大时，电流也相应变大。
浪涌电流显著变大时，有可能会引起误动作和系统问题。
而且，在超过最大额定电流时，有导致破坏的危险。通过与mosfet q1的栅极、源极间电阻r₁并联追加电容器c2， 并缓慢降低q1的栅极电压，可以缓慢地使r_ds(on)变小，从而可以抑制浪涌电流。

■负载开关等效电路图

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关于nch mosfet负载开关on时的浪涌电流应对措施

■nch mosfet负载开关等效电路图

nch mosfet 负载开关：rsq020n03
v_in=5v, i_o=1a,　q1_1g=1v→12v

• q2 off时，负载swq1 on。（q1的栅极电压设定在v_o(v_gsq1)之上。）
• q2 on时，负载swq1 off。
• q1 on时，由于会流过浪涌电流，所以作为应对措施追加c2。

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关于负载开关off时的逆电流

即使在负载开关q1从on到off时，由于存在输出侧负载容量cl，所以输出v_o引脚的电压会残留一定时间。
输入v_i侧比输出v_o侧电压低时，由于mosfet q1的漏极、源极间存在寄生二极管，所以有时寄生二极管导通会发生从输出v_o侧到输入v_in侧的逆电流。
要注意，不要超过mosfet q1的额定电流值。
关于输入旁路电容器c_in的容量值，请在充分探讨负载侧条件、上升时间后再决定。